IPS推出了新一代高壓MOSFET產品--I系列高壓MOSFET。這是IPS自主研發所推出的第四代平面結構高壓MOSFET產品，工作電壓可以覆蓋400V—900V區間，工作電流在1A—25A之間，可以相容多晶穩壓管結構以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，導通電阻低， 動態參數優等特點，已被廣泛應用於LED 照明，AC-DC功率電源，DC-DC轉換器以及PWM馬達驅動等領域。?
I系列產品優化了柵氧化層和其它相關制程，提高了柵源擊穿電壓，從而進一步提高了產品可靠性及穩定度；其突出表現在I系列產品在經過高溫老化和HTRB可靠性試驗後，IDSS仍然可以維持在幾個nA的高水準，這保證了I系列器件在長時間工作的高可靠性。
此外，IPS應用在美國申請的專利技術，I系列產品通過在設計及制程上的演進，優化了原胞結構，有效減小了JFET效應，使得器件的單位面積導通電阻顯著減小，從而降低了器件的靜態損耗。
