2012年03月16日 CSF501D 為IPS 設計的空乏型MOSFET,用於低耗電充電裝置 CSF501D 為IPS 設計的空乏型MOSFET,用於強調低耗電的充電裝置,常搭配iWATT 方案,最高耗電為0.5毫瓦,月產量 10KK,為一成熟產品. 上一篇 回到列表 下一篇
